Танталовый лист 2х120х100 мм ТВЧ в Саратове

Воздействие высоких энергий, например, ионная имплантация, изменяет поверхностный слой танталового листа, формируя легированный слой. Это может улучшить его твердость, износостойкость, коррозионную стойкость или адгезию последующих покрытий за счет изменения химического состава и структуры поверхности.

Для обеспечения наилучшей герметичности при использовании танталового листа в вакуумных системах предпочтительны сварные соединения. Вакуумная электронно-лучевая или аргонодуговая сварка с тщательной защитой от атмосферных газов гарантирует минимальные поры и высокую герметичность. Применяются также вакуумные фланцевые соединения с медными прокладками.

Твердость по Виккерсу для танталового листа марки ТВ-5 (тантал-вольфрамовый сплав с 5% вольфрама) обычно составляет от 80 до 120 HV. Это значение выше, чем у чистого тантала (ТВЧ), что обусловлено упрочняющим эффектом вольфрама.

Для танталового листа толщиной 2 мм подходят методы механической обработки, такие как холодная штамповка, глубокая вытяжка, гибка, резка гильотиной или лазером, а также токарная и фрезерная обработка. Важно использовать острый инструмент и адекватное охлаждение для предотвращения налипания и упрочнения.

Коррозионная стойкость танталового листа марки ТВЧ в азотной кислоте сохраняется на высоком уровне даже при повышении концентрации до 98%. Тантал пассивируется в таких средах, образуя защитную оксидную пленку. Он остается стабильным и подходит для работы с концентрированной азотной кислотой.

Для использования в электронных компонентах, где требуется высокая электропроводность, подходят танталовые листы марки ТВЧ. Его высокая чистота тантала обеспечивает его оптимальную электропроводность, что критично для производства конденсаторов, резисторов и других элементов.

Танталовые листы, включая марки ТВЧ, ТВ-5 и ТВ-10, проявляют высокую коррозионную стойкость в условиях контакта с бромом и его соединениями. Тантал формирует на поверхности стабильную оксидную пленку, которая защищает его от воздействия галогенов, за исключением фтора и фторид-ионов.